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gan fabrication en ligne

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5*10mm2 M-visage GaN Single Crystal Substrate Resistivity libre de type SI non dopé > 10 ⁶ Ω·Gaufrette de dispositifs RF de cm
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2022-10-25 15:19:21

PS-visage 5*10mm2 (10-11) GaN Single Crystal Substrate Resistivity libre de type n non dopé <0.1 Ω·dispositif de puissance de cm
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2022-10-25 15:18:12

PS-visage 5*10mm2 (11-12) GaN Single Crystal Substrate Resistivity libre de type n non dopé < 0,1 Ω·dispositif de puissance de cm
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2023-02-17 11:08:54

5*10mm2 PS-visage (20-21)/(20-2-1) résistivité libre de type n non dopée de GaN Single Crystal Substrate < 0,05 Ω·cm
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2023-02-17 11:10:47

Substrats GaN Rugosité de la surface de la face Ga < 0,2 nm (poli) ou < 0,3 nm (poli et traitement de surface pour l'épitaxie)
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2022-10-08 16:58:42

GaN dopé UID de type N de 4 pouces sur tranche de saphir Résistivité SSP > 0,5 Ω cm LED, laser, plaquette épitaxiale PIN
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2022-10-08 16:57:10

Couche DIRIGÉE PAR vert de la dimension 520±10nm 2inch GaN On Silicon Wafer 20nmContact
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2023-02-17 11:16:39

GaN LED verte 2 pouces sur plaquette de silicium Dimension 520 ± 10 nm
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2023-02-17 11:21:32

Avion de la gaufrette de semi-conducteur de nitrure de gallium 325um 375um C
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2023-03-22 16:44:02

laser DIRIGÉ PAR bleu 455±10nm de 2inch GaN On Silicon Wafer Longueur D'Onde
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2023-02-17 11:40:11

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GaN Epitaxial Wafer

le Fe de visage de 2inch GaN Epitaxial Wafer C a enduit le type position libre de SI

Le Fe a enduit GaN Substrates Resistivity > 10 le ⁶ Ω·Dispositifs RF de cm

Substrats SI-GaN autonomes de 2 pouces

Gaufrette sic épitaxiale

Plaquette épitaxiale SiC biseautée 150,0 mm + 0 mm/-0,2 mm 350,0 um ± 25,0 um

bord épitaxial de gaufrette de gaufrette de SiC de la forme en cristal 4H biseautant le ± 25.0um de 350.0um

CMP polonais optique de SI-visage de C-visage sic épitaxial de gaufrette de monocristal